場效電晶體之工作區域與特性分析

📝 歷屆考古題

• 114年 初等考試 第1題
  有關金氧半場效電晶體，在線性近似條件下，若元件的電場固定，當元件尺寸縮小 $K$ 倍，則操作電壓應為何？
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• 114年 初等考試 第7題
  如圖所示 JFET 電路，電晶體工作於夾止飽和區，$V_P = -3\text{ V}$，$I_{DSS} = 18\text{ mA}$，$V_{GS} = -2\text{ V}$，$V_{DS}$…
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• 114年 初等考試 第26題
  使用一接面場效電晶體設計如圖電路，此電晶體的 $I_{DSS} = 9\text{ mA}$，$V_{GS(TH)} = -3\text{ V}$，其汲極電流為何？
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• 113年 初等考試 第9題
  某一 n 通道 JFET 採自給偏壓，已知閘源極直流電壓 VGS=−5 V 且源極電阻 RS=2 kΩ，則汲極電流 ID大小與方向為何？
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• 113年 初等考試 第26題
  如下圖所示之 N 通道增強型 MOSFET 電路，已知 ID=20 mA，則 VGS約為何？
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• 112年 初等考試 第8題
  如圖所示場效電晶體電路，$V_P = -3\text{ V}$，$I_{DSS} = 18\text{ mA}$，$V_{GS} = -2\text{ V}$，直流工作電壓 $V_{DS}$ 為何？
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• 112年 初等考試 第24題
  圖示電路中場效電晶體之 $V_t = 1\text{ V}$、$\mu_n C_{ox} (W/L) = 100\text{ mA/V}^2$，若電晶體在飽和區工作，則電阻 $R_D$ 的最大值為何？
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• 112年 初等考試 第26題
  如圖所示電路，已知空乏型 MOSFET 的 $I_{DSS} = 1\text{ mA}$、$V_{GS(TH)} = -4\text{ V}$，若閘極電流 $I_G$ 可忽略不計，汲極電流與汲-源極…
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• 111年 初等考試 第1題
  某增強型 NMOS 場效電晶體的 $V_t = 1 \text{ V}$、$\mu_n C_{ox}(W/L) = 50 \text{ \mu A/V}^2$，今若其電壓 $V_{GS} = 2 \text{ V}$…
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• 111年 初等考試 第11題
  有一 N 通道接面場效電晶體（JFET）的夾止電壓 $V_P = - 4 \text{ V}$，且源極電壓 $V_S = 0 \text{ V}$， 則下列那一個條件可使此 JFET 工作於飽和區？
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• 111年 初等考試 第32題
  圖示 PMOS 場效電晶體電路，電晶體之 $V_t = -0.5 \text{ V}$，若 $R_{G1} = 3 \text{ M}\Omega$、$R_{G2} = 2 \text{ M}\Omega$…
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• 110年 初等考試 第1題
  圖示為某 $V_t = 1\text{ V}$ 之 NMOS 場效電晶體所構成的電路，若電晶體工作在飽和區（saturation region），下列有關電壓 $V_D$ 之敘述，何者正確？
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• 110年 初等考試 第5題
  有一 p 通道接面場效電晶體的 $V_{GS(off)} = + 4\text{ V}$，$I_{DSS}=6\text{ mA}$，則當 $V_{GS} = + 6\text{ V}$ 時，此電晶體…
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• 109年 初等考試 第4題
  圖示電路中場效電晶體（FET）之 $V_{TH} = -0.7\text{ V}$，下列電壓何者可使電晶體工作在飽和區（Saturation Region）？
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• 109年 初等考試 第27題
  如圖所示之電路，假設電晶體 M 之參數如下：$\mu_n C_{ox} = 200\text{ }\mu\text{A/V}^2$，$V_{TH} = 0.4\text{ V}$ 且 $\lambda = 0$…
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• 108年 初等考試 第1題
  一幾何比 $W/L$ 固定的場效電晶體（FET）工作於飽和區，當過驅電壓 $V_{OV}$（Overdrive Voltage）變為原來的 2 倍，則轉導 $g_m$（Transconductance…
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• 108年 初等考試 第3題
  將一個 n-通道增強型 MOSFET 的汲極與閘極短路。此電晶體 $\mu_n C_{ox} = 20 \mu\text{A/V}^2$，W/L =10, $V_t =0.5\text{ V}$。若使…
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• 108年 初等考試 第5題
  某一增強型 MOSFET 其臨界電壓 $V_t = 2\text{ V}$，若源極接地而直流電源 $3\text{ V}$ 接到閘極，當 $V_{DS} = 0.5\text{ V}$ 時，試問該 M…
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• 108年 初等考試 第10題
  若某空乏型 NMOS 場效電晶體之臨界電壓為 $V_t$，其參數電流 $I_{DSS}$ 是電晶體：
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• 108年 初等考試 第26題
  圖中電晶體 M1 之臨界電壓 $V_T = 1\text{V}$，若 M1 操作在飽和區，電流源為理想，則電阻 R 的最大值為何？
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• 108年 初等考試 第27題
  夾止電壓 $V_{GS(P)}$為 $4\text{ V}$ 之 p 通道 MOSFET 工作在夾止飽和區且在 $V_{GS1} = 1\text{ V}$ 及 $V_{GS2} = 3\text{ V}$…
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• 108年 初等考試 第30題
  圖示 MOS 場效電晶體電路，電晶體之 $V_t = 1\text{ V}$、$\mu_n C_{ox}(W/L) = 1\text{ mA/V}^2$，若要使電晶體在飽和區工作，電壓 $V_D$ 最…
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• 107年 初等考試 第3題
  下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為 $|V_{th}| = 0.5\text{ V}$…
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• 107年 初等考試 第32題
  如圖所示之偏壓電路，調整可變電阻 $V_R$ 的大小使下列何者為 $0$ 時，可測得 JFET 之夾止電壓（$V_P$）？
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• 106年 初等考試 第1題
  如圖所示之場效電晶體電路，則此電晶體工作在：
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• 106年 初等考試 第5題
  如圖所示一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為$|V_{th}| = 0.5\text{ V}$…
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• 106年 初等考試 第8題
  如圖所示為一 NMOS 構成的放大器。若 $V_{DD} = 3\text{V}$，電晶體之 $\mu_nC_{ox} = 200\text{ }\mu\text{A/V}^2$，$W/L = 10$…
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• 105年 初等考試 第24題
  一個長通道 N 增強型 MOSFET，$V_{th} = 1\text{ V}$，當 $V_{GS} = 3\text{ V}$、$V_{DS} = 4.5\text{ V}$ 時，$I_D = 0.8\text{ mA}$…
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• 105年 初等考試 第25題
  一 N 通道增強型 MOSFET 的 $V_t = 2\text{ V}$，若 $V_G = 3\text{ V}$ 且 $V_S = 0\text{ V}$，又此元件工作於三極區（Triode Re…
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